電腦內(nèi)存條插槽的參數(shù)變化——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
DDR2的標準電壓下降至1.8V,這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能,DDR2的頻率從400MHz到1200MHz,當時的主流的是DDR2-800,更高頻率其實都是超頻條,容量從256MB起步4GB,不過4GB的DDR2是很少的,在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。
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電腦內(nèi)存條插槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
Rambus DRAM內(nèi)存
在選擇SDR SDRAM的繼任者的時候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存,通常都會被簡稱為RDRAM,它與SDRAM不同,采用了新的高速簡單內(nèi)存架構,基于RISC理論,這樣可以減少數(shù)據(jù)復雜性提高整個系統(tǒng)的性能。
RDRAM采用RIMM插槽,184pin,總線位寬16bit,插兩條組建雙通道時就是32bit,工作電壓2.5V,當時的頻率有600、700、800、1066MHz等。
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電腦內(nèi)存條插槽的誕生——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
DDR內(nèi)存的正式名字是DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM),顧名思義就是雙倍速率SDRAM,從名字上就知道它是SDR SDRAM的升級版,DDR SDRAM在時鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號,使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍,而且這樣做還不會增加功耗,至于定址與控制信號與SDR SDRAM相同,僅在上升沿傳輸,這是對當時內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。
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